DD 146471 A1, 11.02.1981. JP 50000347 B, 08.01.1975. DE 10247921 A1, 22.04.2004. US 6270839 B1, 07.08.2001.
Имя заявителя:
АЙКСТРОН АГ (DE)
Изобретатели:
ФРАНКЕН Вальтер (DE) КЕППЕЛЕР Йоханнес (DE)
Патентообладатели:
АЙКСТРОН АГ (DE)
Приоритетные данные:
15.05.2006 DE 102006022534.1
Реферат
Изобретение касается конструкции источника устройства для нанесения покрытия методом парофазной эпитаксии (VPE). Источник содержит резервуар 2, содержащий жидкий или твердый исходный материал 1 и имеющий по направлению вверх отверстие, подающую линию 3 для реактивного газа 4, который вступает в реакцию с исходным материалом 1 для образования содержащего исходный материал технологического газа 5, крышку 6, находящуюся непосредственно на исходном материале 1, причем крышка 6 образует между собой и поверхностью 7 исходного материала 1 объем 8 для прохождения реактивного газа 4 параллельно поверхности 7, в который входит подающая линия 3, и плавает на исходном материале 1 с помощью поплавков 9, выступающих снизу крышки 6, при этом поплавки 9 образованы полыми телами цилиндрической формы, открытыми по направлению вверх. Изобретение обеспечивает стабилизацию реакции в источнике по времени. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента