US 6299683 B1, 09.10.2001. RU 2162117 C2, 20.01.2001. FURUMURA Y. et al. Heteroepitaxial B-SiC on Si, "J. Electrochem. Soc.", 1988, vol.135, no.5, p.p.l255-1260. FUJIWARA Y. et al. Epitaxial growth of 3CSiC on Si by low-pressure chemical vapor deposition, "Appl. Phys. Lett", 1986, vol.49, no.7, p.p.388-390.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU)
Изобретатели:
Синельников Борис Михайлович (RU) Тарала Виталий Алексеевич (RU) Митченко Иван Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического осаждения из газовой фазы включает кварцевую трубу с размещенным в ней контейнером 5 с подложкой 1, нагреватели 6 с резистивным или индукционным типом нагрева и средства подачи в зону синтеза компонентов пленки и водорода, при этом средство подачи водорода содержит активный водород и выполнено в виде трубок 9, расположенных в верхней и нижней стенках контейнера 5 и содержащих отверстия, направленные по нормали к подложке 1, а средство подачи компонентов пленки размещено в испарителе 10 с газораспределительным кольцом с отверстиями, через которые данные компоненты вводятся в зону синтеза параллельно подложке, при этом указанные средства подачи размещены отдельно друг от друга. Отличительная особенность реактора заключается в том, что нагреватели и подложки располагаются параллельно, образуя сэндвич. Данная конструкция позволяет более эффективно использовать излучение от каждого нагревателя. Синтез пленки карбида кремния осуществляют в условиях пониженного давления от 5·102 до 5·10-2 Па на поверхности как минимум двух кремниевых подложек, имеющих температуру от 800 до 1380°С, и при температуре водорода выше температуры подложки и компонентов пленки как минимум на 100°С. Изобретение позволяет синтезировать высококачественные гетероэпитаксиальные монокристаллические пленки карбида кремния на кремнии при температурах до 1400°С. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента