|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ |  |
Номер публикации патента: 2324020 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/14 C30B025/02 | | Аналоги изобретения: | RU 2003110215 А, 20.10.2004. SU 1334781 А1, 20.04.1996. US 4510177 А, 09.04.1985. US 4232063 А, 04.11.1980. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU) | | Изобретатели: | Манжа Николай Михайлович (RU)
Сауров Александр Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении. Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении включает камеру осаждения, состоящую из внутреннего реактора в виде горизонтальной трубы с продольными отверстиями, равномерно расположенными в шахматном порядке на ее стенках, установленной коаксиально внешнему реактору, выполненному в виде горизонтальной трубы, образующем
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента