|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МЕТОД ВЫРАЩИВАНИЯ НЕПОЛЯРНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ |  |
Номер публикации патента: 2315135 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/18 C30B029/38 H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | WO 03089696 A1, 30.10.2003. RU 2233013 С2, 20.11.2004. JP 9221392 А, 26.08.1997. US 5290393 А, 01.03.1994. US 5993542 А, 30.11.1999. US 5909036 А, 01.06.1999. |
| Имя заявителя: | Абрамов Владимир Семенович (RU) | | Изобретатели: | Абрамов Владимир Семенович (RU)
Сощин Наум Петрович (RU)
Сушков Валерий Петрович (RU)
Щербаков Николай Валентинович (RU)
Аленков Владимир Владимирович (RU)
Сахаров Сергей Александрович (RU)
Горбылев Владимир Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Абрамов Владимир Семенович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов и приборов методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, а именно к изготовлению гетероструктур на основе элементов III группы и приборов на их основе, таких как белые светодиоды, лазеры и т.д. Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур для белых светоизлучающих диодов на основе соединений и твердых растворов нитридов элементов III группы включает газофазное осаждение одного или более сл
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента