|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДАЧИ ПАРОВ ХЛОРИДА ГАЛЛИЯ ПРИ ГАЗОФАЗНОМ ОСАЖДЕНИИ СОЕДИНЕНИЙ А |  |
Номер публикации патента: 2311498 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/14 C30B029/38 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | KOYNOV S. et al. Stmctural investigations of GaN grown by low-pressure chemical vapor deposition on 6H-SiC and Al |
| Имя заявителя: | ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НИГАЛ" (RU) | | Изобретатели: | Гришнова Наталья Дмитриевна (RU)
Иванов Валерий Александрович (RU)
Котков Анатолий Павлович (RU)
Орловский Леонид Александрович (RU)
Салганский Юрий Михайлович (RU)
Сидоров Виктор Андреевич (RU) | | Патентообладатели: | ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НИГАЛ" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др. Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений А3В5 содержит две соединенные между собой емкости, одна из которых предназначена для хранения хлорида галлия, а другая - для дозирования паров хлорида галлия в зону осаждения потоком газа-носителя.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента