|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2209260 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B019/12 C30B025/18 C30B029/10 C30B029/42 C30B015/00 | | Аналоги изобретения: | НЬЮМЕН Р.Л. и др. Рост кристаллов арсенида галлия из пара. В кн. Процессы роста и выращивание монокристаллов./Под ред. Н.Н. Шефталя. - М.: Издательство Иностранной литературы, 1963, с.509-514. US 3993511 А, 23.11.1976. US 4107723 А, 15.08.1978. EP 0282075 А3, 14.09.1988. US 4421576 А, 20.12.1983. |
| Имя заявителя: | Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение) | | Изобретатели: | Айтхожин С.А. | | Патентообладатели: | Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации. Сущность изобретения: в качестве материала подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия предложено использовать антимониды металлов четвертого периода периодической системы элементов, что существенно упрощает технологию выращивания и снижает цену подложек и приборов, изготовленных на их основе.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента