|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ АЛМАЗНОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2176683 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C016/27 C30B025/02 | | Аналоги изобретения: | ЕР 0676485 А1, 11.10.1995. RU 2040600 C1, 27.07.1995. RU 2065508 C1, 20.08.1996. US 5607723, 04.03.1997. US 5628824, 13.05.1997. ЕР 0457076 А2, 21.11.1991. |
| Имя заявителя: | ЭЙДЖЕНСИ ОФ ИНДАСТРИАЛ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ, МИНИСТРИ ОФ ИНТЕРНЭШНЛ ТРЕЙД ЭНД ИНДАСТРИ (JP) | | Изобретатели: | ТАКЕУТИ Даисуке (JP)
ОКУСИ Хидейо (JP)
КАДЗИМУРА Кодзи (JP)
ВАТАНАБЕ Хидеюки (JP) | | Патентообладатели: | ЭЙДЖЕНСИ ОФ ИНДАСТРИАЛ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ
МИНИСТРИ ОФ ИНТЕРНЭШНЛ ТРЕЙД ЭНД ИНДАСТРИ (JP) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано при изготовлении электронных устройств. Способ включает два этапа осуществления химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы при использовании смешанного газа, состоящего из источника углерода и водорода в качестве химически активного газа. На первом этапе используют смешанный газ с концентрацией источника углерода, установленной на первом низком уровне, для осаждения высококачественной гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки при низкой скорости ее
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента