|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ И РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2162117 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B029/36 C30B025/14 C30B025/08 C30B025/10 C23C016/32 H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | WO 97/01658 А1 (ABB RESEARCH LTD), 16.01.1997. EP 0238830 А1 (NIPPON TELEGRAPH et al.), 30.09.1987. EP 0559326 А1 (PIONEER ELECTRONIC CORPORATION), 08.09.1993. EP 0505249 А1 (FUJITSU LIMITED), 23.09.1992. YP 05001380 A1 (HOYA CORP.), 08.01.1993. SU 598630 А (ВЕРЕМЕЙЧУК Н.С. и др.), 21.07.1978. |
| Имя заявителя: | Макаров Юрий Николаевич | | Изобретатели: | Макаров Ю.Н. | | Патентообладатели: | Макаров Юрий Николаевич |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установленной в ней, по меньшей мере, одной подложкой (10) газообразных реагентов, содержащих кремний и углерод, нагрев стенок камеры до температуры в пределах интервала 1800- 2500°С и нагрев подложки (10). Реагенты подают в камеру раздельно, реагент, содержащий кремний, - по каналу (7) вдоль камеры, а реагент, содержащий углерод, - с двух боковых сторон по каналам (14). Смешение реагентов происходит непосредственно в зоне ростовой поверхности подложки (10). Изобретение позволяет получать объемные монокристаллы SiC высокого качества и большой толщины с низкими производственными затратами и высокой производительностью. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента