KAMLER G. et al. Bulk GaN single-crystals growth // Journal of Crystal Growth. - 2000, vol.212, no.1-2, p.p.39-48. JP 2004288964 A, 14.10.2004. SHIN H. et al. High temperature nucleation and growth of GaN crystals from the vapor phase // Journal of Crystal Growth. - 2002, vol.241, no.4, p.p.404-415. GB 1160162 A, 30.07.1969. WO 0068470 A1,16.11.2000. EP 937790 A2, 25.08.1999. JP 2004134620 A, 30.04.2004. RU 2132890 С1, 10.07.1999.
Имя заявителя:
АЗЗУРРО СЕМИКОНДАКТОРС АГ (DE)
Изобретатели:
ДАДГАР Армин (DE) КРОСТ Алоис (DE)
Патентообладатели:
АЗЗУРРО СЕМИКОНДАКТОРС АГ (DE)
Приоритетные данные:
16.10.2004 DE 102004050806.2
Реферат
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов нитрида галлия или нитрида алюминия-галлия. Способ включает следующие стадии: приготовление металлического расплава из чистого галлия или из смеси алюминия и галлия в плавильном тигле, выпаривание галлия или галлия и алюминия из металлического расплава, разложение предшественника азота путем термического воздействия или посредством плазмы и выращивание монокристалла GаN или АlGaN на затравочном кристалле под давлением менее чем 10 бар, при котором выпаривание галлия или галлия и алюминия проводят при температуре выше температуры выращиваемого кристалла, но по меньшей мере при 1000°С, и при котором газовый поток газа азота, газа водорода, инертного газа или сочетания этих газов пропускают над поверхностью металлического расплава таким образом, что этот газовый поток над поверхностью металлического расплава предотвращает контакт предшественника азота с металлическим расплавом, при этом либо металлический расплав приготавливают в реакторной камере в плавильном тигле, который, кроме по меньшей мере одного впуска газа-носителя и по меньшей мере одного отверстия для выпуска газа-носителя, закрыт со всех сторон, и при этом газовый поток вводят в плавильный тигель через впуск газа-носителя над металлическим расплавом и транспортируют с парами металла металлического расплава из плавильного тигля через отверстие для выпуска газа-носителя, и предшественник азота вводят в реакционную зону в реакторной камере, либо приготовление металлического расплава включает в себя размещение плавильного тигля в реакторной камере, газовый поток вводят в реакторную камеру через впуск газа-носителя над металлическим расплавом, и предшественник азота вводят в реакционную зону в реакторной камере. Изобретение обеспечивает рост кристалла при помощи реакции расплавленного галлия с реакционно-способным предшественником азота без образования корки на поверхности расплава галлия и связанных с этим проблем при росте кристалла. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента