|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗА |  |
Номер публикации патента: 2008258 |  |
| Имя заявителя: | Марчук Николай Демьянович,Подзирей Юрий Степанович | | Изобретатели: | Марчук Николай Демьянович
Подзирей Юрий Степанович | | Патентообладатели: | Марчук Николай Демьянович
Подзирей Юрий Степанович |
Реферат | |
Использование: для увеличения размеров кристаллов алмаза. Сущность изобретения: на затравочные кристаллы алмаза наносят слой металла - катализатора. В ампулу помещают эти кристаллы и исходный углерод - сажу, ампулу вакуумируют и осуществляют эпиксиальное выращивание. Выращенные кристаллы имеют высокие оптические характеристики.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента