|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (SIC)*001*00 - *00X(ALN)*00X |  |
Номер публикации патента: 1297523 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B023/02 | | Аналоги изобретения: | R. Ruh, A. Zangvil. Composition and properties of Hot-Pressed Sic - AlN Solid solutions. - J. of America Ceramic. Soc. 1982, V. 65, N 5, p. 260-265. Сафаралиев Г.К. Таиров Ю.М. Цветков В.Ф. Исследование кинетики кристаллизации эпитаксиальных слоев карбида кремния при выращивании из газовой фазы. Кристаллография, 1975, т. 20, N 5, с. 1004-1007. Патент США N 4382837, кл. C 30 B 25/02, 1983. |
| Имя заявителя: | Дагестанский государственный университет им.В.И.Ленина | | Изобретатели: | Нурмагомедов Ш.А.
Сафаралиев Г.К.
Таиров Ю.М.
Цветков В |
Реферат | |
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса. Изобретение заключается в том, что сублимацию ведут из источника, в качестве которого используют поликристаллические спеки SiC+AlN, при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiC - 20-80, AlN - остальное.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента