|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ |  |
Номер публикации патента: 2064541 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B019/04 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | 1. ЕПВ <SP>o</SP>0229263, кл. С ЗО B 23/02, 1987. 2. Лозовский В.Н. и др. Особенности роста пятикомпонентных твердых растворов Al<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>P<SB>2</SB>A<SB>1-2</SB>- арсенида галлия из раствора-расплава с подпиткой. 7-я Всес.конф. по росту кристаллов: Симп. по молекул.-луч.эпитаксии, 14-19 ноября 1988. Расш.тез. Т.2.- М.: 1988, с. 334 - 335. |
| Имя заявителя: | Волгодонский филиал Новочеркасского государственного технического университета | | Изобретатели: | Лозовский В.Н.
Лунин Л.С.
Сысоев И.А. | | Патентообладатели: | Волгодонский филиал Новочеркасского государственного технического университета |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы, расширение спектрального диапазона материала от 0,59 до 0,87 мкм и получение однородного по составу эпитаксиального слоя. Способ включает осаждение эпитаксиального слоя на подложку GaAs из раствора-расплава с подпиткой его из кристалла-источника, следующего состава ,ат. %: Аl - 1,0-17,0, Р - 0,5-41,0, As - 9,0- 49,5, Ga - остальное. Состав раствора-расплава, ат. %: Al - 0,0019 -0,0560; P-0,0130-2,0500; As - 3,580-22,300; In - 0,8660-92,4065; Ga - остальное. Процесс ведут в поле с температурным градиентом между источником и подложкой. Получены слои толщиной 62-96 мкм однородные по составу. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента