|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC |  |
Номер публикации патента: 1266253 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B019/04 | | Аналоги изобретения: | Таиров Ю.М. и др. Растворимость карбида кремния в олове и галлии, Изв. АН СССР, Неорганическая материя. -1983, т. 3, с. 1390-1391. Павличенко В.И., Рыжиков И.В. Исследование карбидокремниевых кристаллов и p-n переходов, полученных выращиванием из растворов. Физика и техника полупроводников, -1968, т. 2, N 11, с. 1644-1650. |
| Имя заявителя: | Дагестанский государственный университет им.В.И.Ленина | | Изобретатели: | Сафаралиев Г.К.
Билалов Б.А.
Самудов Ш. |
Реферат | |
1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100-1400 К и воздействии на него постоянного электрического тока. 2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента