RU 2023063 C1, 15.11.1994. ЕР 142415 А, 22.05.1985. GB 1494342 A, 07.12.1977. US 4539067 A, 03.09.1985.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU)
Изобретатели:
Синельников Борис Михайлович (RU) Мотренко Евгений Иванович (RU) Буков Виталий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области автоматического выращивания высокотемпературных монокристаллов и может быть использовано для управления процессом выращивания в ростовых установках с весовым методом контроля. В блок констант автоматической системы управления технологическим процессом вводят технологические параметры: справочные, паспортные, и практические данные установки, процесса выращивания, обеспечивающие наилучшее качество монокристалла. Определен достаточный комплекс технологических параметров, начиная с дегазации шихты и гарнисажа, заканчивая охлаждением монокристалла, обеспечивающий постоянство скорости кристаллизации, повороты растущего монокристалла на заявляемые углы с заявляемыми паузами, а также расчет зависимостей, обеспечивающих тонкие частные механизмы компенсации отклонений веса растущего монокристалла от теоретического, применяемый впервые для обеспечения качественного автоматического управления. Параметры вводят в блоки констант, сравнения и вычислительные автоматической системы управления технологическим процессом. Подключают соответствующие автоматические системы и контролируют работу последних, используя программное обеспечение для визуализации процесса. Получают монокристалл совершенной структуры. 4 ил.