|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2350699 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B017/00 C30B029/20 C30B015/36 | | Аналоги изобретения: | RU 2056463 C1, 20.03.1996. US 3898051 A, 05.08.1975. CN 1544712 A, 10.11.2004. |
| Имя заявителя: | Открытое Акционерное Общество "Концерн Энергомера" (RU) | | Изобретатели: | Николенко Маргарита Васильевна (RU)
Каргин Николай Иванович (RU)
Еськов Эдуард Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Открытое Акционерное Общество "Концерн Энергомера" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано на предприятиях химической и электронной промышленности для выращивания монокристаллов сапфира 1-6 категории качества методом Киропулоса из расплавов на затравочный кристалл. Способ включает подготовку шихты, ее загрузку и расплавление посредством нагревательного элемента в вакууме, затравление и вытягивание монокристалла, при этом выращивание монокристалла осуществляют на затравку технического качес
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента