|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 95107207 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95107207 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | | Изобретатели: | Сальник З.А.
Микляев Ю.А |
Реферат | |
Цель изобретения - управление концентрацией кислорода (получение заданной величины No в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых по методу Чохральского. Эта цель достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния по Чохральскому с использованием установленного внутри нагревателя кварцевого тигля диаметром (300±30) мм при отношении площади поверхности контакта расплава с тиглем к площади открытой поверхности контакта расплава 1,5 - 4,0 расстояние (h) от начального уровня расплава в тигле до верхнего края нагревателя поддерживают равным 2 - 9 см, а увеличение (уменьшение) концентрации кислорода в верхней части растущего монокристалла на каждые (0,4±0,2)·1017 см-3 проводят путем повышения (понижения) уровня расплава на 1 см в пределах указанного интервала h. Предложенное решение позволяет выращивать монокристаллы кремния для широкого класса полупроводниковых приборов с различными требованиями к концентрации кислорода.
|
Поиск патентов