Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") (RU)
Изобретатели:
Кравецкий Дмитрий Яковлевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и др. по методу Степанова. Способ включает загрузку исходного сырья, вакуумирование, отжиг, напуск инертного газа, расплавление исходного сырья, запитывание расплавом капилляров формообразователя при подъеме тигля, затравление, вытягивание кристалла при перегреве расплава в тигле относительно температуры его кристаллизации, отрыв от расплава и охлаждение выращенного кристалла. В изобретении расплавление исходного сырья осуществляют в несколько этапов, ступенчато увеличивая температуру на каждом этапе. Подъем тигля и запитывание расплавом капилляров формообразователя осуществляют также ступенчато, одновременно поднимая тигель и увеличивая температуру до температуры затравления с последующей выдержкой на каждой ступени, причем во время выдержки при мощности затравления проводят прокачку расплава в капиллярах формообразователя путем, по меньшей мере, однократного опускания тигля без отрыва формообразователя от расплава и последующего его подъема в прежнее положение. Вытягивание ведут при температуре кристалла, превышающей температуру осаждения налета из газовой атмосферы, а после отрыва выращенные кристаллы продолжают поднимать со скоростью выращивания при температуре отрыва кристалла. Изобретение позволяет повысить выход годного и снизить себестоимость получаемых кристаллов за счет уменьшения количества пузырей и центров рассеивания, что обеспечивает получение кристаллов с хорошими оптическими характеристиками, в том числе качественных широких и длинных пластин. 7 з.п. ф-лы, 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента