| 
			
					
			 На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента 
			
				Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину» 
			
			 
		   | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛЛИЙ - СКАНДИЙ - ГАДОЛИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ |      |  
 
 Номер публикации патента: 2321689 |   |  
  
	
	 
	
| Редакция МПК:  | 7  |  | Основные коды МПК:  | C30B015/04   C30B029/28   H01S003/11   H01S003/16     |  | Аналоги изобретения:  | SU 1667587 A1, 27.01.1995. SU 1099802 A1, 15.02.1986. SU 1595023 A1, 27.03.1999. FRATELLO V.J. et al. Growth of congmently melting gadolinium scandium gallium garnet. "J. Cryst. Growth", 1987, 80, N1, 26-32, РЖ «Электроника», 1987, реферат №7Г468.  |  
	 
	 
	
| Имя заявителя:  | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU)  |  | Изобретатели:  | Титов Александр Николаевич (RU) Крутова Лариса Ивановна (RU) Ветров Василий Николаевич (RU) Игнатенков Борис Александрович (RU) Миронов Игорь Алексеевич (RU)  |  | Патентообладатели:  | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU)  |  
	 
	 
Реферат |   |  
 
 Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, содержащей смесь оксидов металлов, в качестве которых используют полученный методом твердофазного синтеза галлий-скандий-гадолиниевый гранат конгруэнтно плавящегося состава с добавками оксида магния и оксида хрома, обеспечивающими концентрацию катионов хрома и магния в р  
		 |