|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2304642 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/34 C30B029/08 | | Аналоги изобретения: | FR 1266103 А, 07.07.1961. ИНОЗЕМЦЕВ А.В. и др. Выращивание крупногабаритных монокристаллов германия способом Степанова. «Изв. АН СССР. Сер.физ.», 1985 49, №12, 2346-2348, РЖ «Электроника», 1986, реф. № 5Г244. МАСЛОВ В.Н. Выращивание профилированных полупроводниковых монокристаллов. - М.: Металлургия, 1977, с.76-77, 82, 98-105. |
| Имя заявителя: | ООО МНПП "Кристалл" (RU),Каплунов Иван Александрович (RU),Колесников Александр Игоревич (RU),Смирнов Юрий Мстиславович (RU) | | Изобретатели: | Каплунов Иван Александрович (RU)
Колесников Александр Игоревич (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU) | | Патентообладатели: | ООО МНПП "Кристалл" (RU)
Каплунов Иван Александрович (RU)
Колесников Александр Игоревич (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия. Сущность изобретения: монокристаллы германия выращивают из расплава на затравочный кристалл с использованием формообразователя с находящимся внутри него расплавом, имеющего отверстия для удаления образующегося при кристаллизации избыточного расплава.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента