|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2230838 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B015/34 C30B015/14 | | Аналоги изобретения: | RU 2056463 C1, 20.03.1996. SU 1691433 A1, 15.11.1991. RU 2078154 C1, 27.04.1997. |
| Имя заявителя: | Амосов Владимир Ильич (RU),Харченко Вячеслав Александрович (RU),ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU) | | Изобретатели: | Амосов В.И. (RU)
Бирюков Е.Н. (RU)
Куликов В.И. (RU)
Харченко В.А. (RU) | | Патентообладатели: | Амосов Владимир Ильич (RU)
Харченко Вячеслав Александрович (RU)
ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Чохральского для получения объемных профилированных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры. Сущность изобретения: в способе выращивания монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов на затравочный кристалл по методу Чохральского выращивание проводят из нагревателя, установленного в тигель и выполненного из собранных в секции U-образных ламелей, изогнутых в виде чаши по
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента