|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2222646 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/34 C30B015/14 | | Аналоги изобретения: | SU 1691433 A1, 15.11.1991. RU 2078154 C1, 27.04.1997. RU 1503355 C, 30.03.1994. |
| Имя заявителя: | Амосов Владимир Ильич,Харченко Вячеслав Александрович,ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | | Изобретатели: | Амосов В.И.
Бирюков Е.Н.
Куликов В.И.
Харченко В.А. | | Патентообладатели: | Амосов Владимир Ильич
Харченко Вячеслав Александрович
ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов на затравочном кристалле из тигля с формообразователем заключается в том, что выращивание проводят при соответствии кристаллографических граней затравочного кристалла форме формообразователя и форме радиальной изотермы в расплаве, которую создают нагревателем
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента