|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2191853 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/24 C30B015/12 | | Аналоги изобретения: | US 5733371 А, 31.03.1998. SU 1533371 A1, 15.06.1992. JP 59203797 A, 17.11.1984. JP 62288193 A, 15.12.1987. JP 56100196 A, 11.08.1981. |
| Имя заявителя: | НИИ Российский центр лазерной физики при Санкт-Петербургском государственном университете (RU) | | Изобретатели: | Габриелян В.Т. (RU)
Гукасов А.А. (RU)
Канцерова Л.П. (RU)
Смирнов В.Б. (RU)
Смирнов П.В. (RU)
Патурян Сергей Ванушевич (AM) | | Патентообладатели: | НИИ Российский центр лазерной физики при Санкт-Петербургском государственном университете (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания тугоплавких кристаллов методом Чохральского. В основу технического решения положена задача создания устройства для выращивания кристаллов методом Чохральского, в котором за счет установки внутри расплава в тигле гидродинамической вставки, содержащей внешнюю и внутреннюю части, создания криволинейных каналов и наличия в их нижней части кольцевого зазора между этими частями, выполнены условия для поддержания естественной конвекции в тигле и ее превращения
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента