|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ОКСИСИЛИКАТОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ |  |
Номер публикации патента: 2186162 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/34 C30B015/00 H01S003/16 | | Аналоги изобретения: | Каминский А.А. и др. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров. - М.: Наука, 1989, с.268-270. Каминский А.А. Лазерные кристаллы. - М.: Недра, 1975, с.12, 173-174. US 5311532 А, 10.05.1994. US 5173911 А, 22.12.1992. |
| Имя заявителя: | Кубанский государственный университет | | Изобретатели: | Ворошилов И.В.
Лебедев В.А. | | Патентообладатели: | Кубанский государственный университет |
Реферат | |
Изобретение относится к материалам для квантовой электроники, в частности, к монокристаллам для иттербиевых лазеров с длиной волны около 1,064 мкм, перестраиваемых в диапазоне 1-1,08 мкм с диодной накачкой, и для получения лазерной генерации в режиме сверхкоротких импульсов. С целью адаптации иттербиевых лазеров к существующей элементной базе предлагается монокристаллический лазерный материал на основе оксисиликатов редкоземельных элементов с трехвалентным иттербием в качестве активатора в соотве
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента