

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ ИК - ДИАПАЗОНА

Номер публикации патента: 2186161

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	99117466/12

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B029/22 C30B015/00 H01S003/16
Аналоги изобретения:	Ye QI NG et al. Crystal growth of YСа

Имя заявителя:	Кубанский государственный университет
Изобретатели:	Ворошилов И.В. Лебедев В.А. Гавриленко А.Н.
Патентообладатели:	Кубанский государственный университет

Реферат

Изобретение относится к материалам для лазерной техники, а именно к монокристаллическим материалам, предназначенным для получения активных элементов твердотельных лазеров. Сущность изобретения: предлагается в монокристаллический лазерный материал на основе оксиортобората кальция-иттрия с иттербием дополнительно вводить в качестве активатора эрбий в соответствии с химической формулой: Ca4Y1-x-yYbxEry(BO3)3O, где x>0,001, у>0,001, х+у0,57.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"