На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер публикации патента: 2164267

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  99120857/12		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности. Способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений из расплава на торце формообразователя осуществляют путем загрузки исходного сырья в тигель, вакуумирования системы до остаточного давления не более 1 · 10-5 мм рт. ст., отжиге в инертной атмосфере при 1550 - 1650°С, повторного вакуумирования системы до остаточного давления не более 1 · 10-3 мм рт. ст., подъема температуры в инертной атмосфере до расплавления исходного сырья, погружения формообразователя в расплав на 0,45 - 0,60 его высоты, запитывания расплавом капиллярной системы формообразователя, формирования на торце формообразователя пленки расплава с углом наклона боковых ее поверхностей 40 - 65° к продольной оси кристалла, создания контакта расплава с затравкой, прогрева и оплавления затравки, разращивания и вытягивания кристаллов при скорости 0,2 - 0,8 мм/мин при перегреве расплава относительно температуры его кристаллизации, отрыв кристалла при увеличении скорости роста в интервале 0,8 - 5 мм/мин и охлаждении выращенного кристалла. Технический результат - повышение выхода годных по оптическим характеристикам кристаллов. 4 з.п. ф-лы, 1 табл.

Вернуться к списку