|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2077616 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/34 | | Аналоги изобретения: | 1. Borodin V.A. at al. The variable shaping technique - a new method of the sappfire growt. - Cryst. Res. Technol., 1985, v. 20, N 6, p. 833. 2. Бородин В.А. и др. Распределение газовых включений в профилированных кристаллах сапфира. - Неорганические материалы, 1985, т.21, N 5, с.728. 3. Авторское свидетельство СССР N 1691433, кл. C 30 B 15/34, 1991. |
| Имя заявителя: | Институт физики твердого тела РАН | | Изобретатели: | Курлов В.Н. | | Патентообладатели: | Институт физики твердого тела РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема и вытягивают из столба расплава на торце формообразователя, погруженного в тигель и ростовой камере. При этом формообразователь снабжен разгерметизирующим некапиллярным отверстием, которое на стадии роста монолитного кристалла находится ниже уровня расплава. При переходе к полому профилю трубчатую полость формообразователя сообщают через указанное отверстие с ростовой камерой путем опускания уровня расплава в тигле ниже разгеметизирующего отверстия, а при переходе от полого профиля к монолитному прекращают сообщение между полостью формообразователя и ростовой камеры путем поднятия уровня расплава до полного погружения разгерметизирующего отверстия в расплав.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента