|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СУРЬМЫ И ВИСМУТА |  |
Номер публикации патента: 2058441 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/12 | | Аналоги изобретения: | Абрикосов Н.Х. и др. Исследование монокристаллов твердых растворов системы Bi<SB>2</SB>Te<SB>3</SB> - Bi<SB>2</SB>Se<SB>3</SB> - Sb<SB>2</SB>Te<SB>3</SB>. - изв.АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1979, т.15, N 7, с.1181-1184. |
| Имя заявителя: | Институт металлургии им.Байкова РАН | | Изобретатели: | Иванова Л.Д.
Гранаткина Ю.В.
Бровикова С.А.
Сидоров Ю.А. | | Патентообладатели: | Институт металлургии им.Байкова РАН |
Реферат | |
Использование: для выращивания полупроводниковых материалов методом Чохральского. Сущность изобретения: монокристалл выращивают на затравку конической формы с диаметром основания, равным диаметру монокристалла. Перед выращиванием затравку опускают в расплав температурой 600oС и выдерживают 20 - 30 мин при наличии радиального градиента температуры 5 - 6oС/мм. Вытягивание ведут со скоростью 15 - 18 мм/ч при осевом градиенте 5,2 - 5,8oС/мм. Скорости вращения затравки и тигля - 15 - 30 об/мин и 5 - 10 об/мин. Отрывают выращенный кристалл за 5 - 10 мин при перегреве расплава на 20 - 30oС и охлаждают со скоростью 4 - 5oС до 300oС, а затем со скоростью 6 - 7oС/мин до комнатной температуры. 1 з. п. ф-лы, 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента