На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2057211 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B015/10 C30B029/06 | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4436577, кл. C 30B 15/10, 1984. 2. Патент США N 4239585, кл. C 30B 15/10, 1980. |
Имя заявителя: | Акционерное общество закрытого типа "Интеромега",Ремизов Олег Алексеевич | Изобретатели: | Ремизов О.А. Караваев Н.М. | Патентообладатели: | Акционерное общество закрытого типа "Интеромега" Ремизов Олег Алексеевич |
Реферат |  |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского. Сущность изобретения состоит в способе получения монокристаллического кремния, включающем расплавление исходного кремния в тигле, введение затравки, вытягивание кристалла из расплава на вращающуюся затравку.
|