|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2035530 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/22 | | Аналоги изобретения: | Влияние морфологии роста кристаллов InSb, выращиваемых в присутствии УЗ-колебаний. - Электроника, 1985, реф.N 9Г342. |
| Имя заявителя: | Кожемякин Геннадий Николаевич[UA] | | Изобретатели: | Кожемякин Геннадий Николаевич[UA] | | Патентообладатели: | Кожемякин Геннадий Николаевич[UA] |
Реферат | |
Использование: технология получения кристаллов полупроводниковых и металлических материалов. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского без вращения тигля и затравки, либо при вращении тигля со скоростью не более 30 об/мин и затравки - не более 80 об/мин и с частотой ультразвука 10,1-5103кГц.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента