|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2357023 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 C30B013/18 C30B013/28 | | Аналоги изобретения: | GOLYSHEV V.D. et al., "Krater-VM" furnace - AHP crystallizer complex, Microinchomogeneity in Ge crystal growth by AHP method, "Proc. of 3d Int. Conf. On Single crystal growth and heat & mass transfer", Obninsk, Russia, 21-24 September, 1999, p.p.135-143. GONIK M.A. et al., Development of model for on-line control of crystal growth by the AHPmethod, "Journal of Crystal Growth", 2007, vol.303, N1, p.p.180-186. ГОЛЫШЕВ В.Д. и др. Компьютерное управление процессом выращивания монокристаллов из расплава методом осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2002, |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) | | Изобретатели: | Гоник Михаил Александрович (RU)
Гоник Марк Михайлович (RU)
Кригер Виктор Александрович (DE)
Лобачев Владимир Александрович (RU)
Цветовский Владимир Борисович (RU) | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) |
Реферат | |
ИЗОБРЕТЕНИЕ ОТНОСИТСЯ К УПРАВЛЕНИЮ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА ШИХТЫ 6 В ТИГЛЕ 4 МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА БЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ - ОТФ-МЕТОДОМ. ВО ВРЕМЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЮТ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРНОГО РЕЖИМА С ПОМОЩЬЮ РЕГУЛЯТОРОВ, СВЯЗЫВАЮЩИХ РЕГУЛИРУЕМЫЕ ПЕРЕМЕННЫЕ С РЕГУЛИРУЮЩИМИ.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента