|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ (ОТФ - МЕТОДОМ) ПРИ ИЗБЫТОЧНОМ ДАВЛЕНИИ ГАЗА В РОСТОВОЙ КАМЕРЕ |  |
Номер публикации патента: 2357022 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 C30B013/18 | | Аналоги изобретения: | MARCHENKO М.Р., Investigation of Cd1-xZnxTe composition inhomogeneity at crystal growth by AHP-method, "Journal of Crystal Growth", 2007, vol.303, N1, p.p.193-198. SU 1800854 A1, 20.06.1996. US 5047113 A, 10.09.1991. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) | | Изобретатели: | Гоник Михаил Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону. Устройство содержит ростовую камеру, тепловой узел с многосекционным фоновым нагревателем 11, тигель 4 на подставке 3, соединенной с нижним штоком 1, дополнительный нагреватель, погруженный в расплав вблизи фронта кристаллизации (ОТФ-нагреватель) 7, соединенный с верхним штоком 2, герметично выводимым из камеры с помощью узла вывода
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента