|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2357021 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 C30B013/18 | | Аналоги изобретения: | MEYER S. et al., Forced convection in vertical Bridgman configuration with the submerged heater. "Journal of Crystal Growth", 1997, vol.171, p.p.566-576. SU 18000854 A1, 20.06.1996. OSTROGORSKY A.G., Numerical simulation of single crystal growth by submerged heater method. "Journal of Crystal Growth", 1990, vol.104, p.p.233-238. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) | | Изобретатели: | Гоник Михаил Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из расплава в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону. Установка для выращивания монокристаллов методом осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации включает водоохлаждаемую камеру с нижним 1 и верхним 2 фланцами, тепловой узел с многосекционным фоновым нагревателем 4 и тепловой изоляцией 3, кристаллизатор, состоящий из тигля 5 с крышкой, погруженного в тигель нагрев
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента