|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ - СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2338815 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/02 C30B013/18 C30B029/12 | | Аналоги изобретения: | SU 1304442 A1, 20.01.1997. RU 2138585 C1, 27.09.1999. SU 1800854 A1, 20.06.1996. |
| Имя заявителя: | ООО "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) | | Изобретатели: | Голышев Владимир Дмитриевич (RU)
Гоник Михаил Александрович (RU) | | Патентообладатели: | ООО "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов галогенидов, а именно иодида натрия или цезия, в температурном градиенте и с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав. Способ включает выращивание монокристаллов путем вытягивания вниз кристалла из расплава в тигле при градиенте температуры с использованием ростовой камеры и теплового узла с многосекционным фоновым нагревателем.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента