На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ | |
Номер публикации патента: 2320789 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B011/02 C30B011/14 C30B029/20 C30B029/28 | Аналоги изобретения: | UA 21982 А, 26.04.1995. JP 54068797 А, 02.06.1979. БАГДАСАРОВ Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004, с.113-122. |
Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Рубитек" (RU) | Изобретатели: | Багдасаров Хачик Саакович (RU) Графов Герман Кимович (RU) Малинин Владимир Иванович (RU) Саркисов Степан Эрвандович (RU) Трофимов Александр Сергеевич (RU) | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Рубитек" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов горизонтальной направленной кристаллизацией включает создание в вакуумной камере с помощью нагревательных устройств температурного поля, расплавление в этом поле исходного кристаллизуемого материала, помещенного в контейнер, выполненный в виде открытой све
|