На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЗВЕЗДЧАТЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ ПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ

Номер публикации патента: 2124077

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  98112247		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: изобретение относится к области производства кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма по методу Вернейля. Изобретение обеспечивает повышение оптических качеств кристалла: прозрачность, насыщенность цветовой окраски, повышение эффекта астеризма. Процесс выращивания кристаллов включает подачу шихты, состоящей из оксида алюминия, диоксида титана и окрашивающей добавки, а камеру кристаллизации через центральный канал двухканальной сопловой горелки с коаксиальным расположением каналов, подачу водорода и кислорода, плавление шихты в зоне фронта кристаллизации и роста затравочного кристалла и последующий отжиг полученного кристалла. При этом через периферийный канал горелки подают гремучую смесь водорода и кислорода при процентном их содержании, равном 100 : 50, а по центральному каналу дополнительно под избыточным давлением по отношению к гремучей смеси подают кислород с обеспечением окислительной атмосферы в зоне плавления шихты. Общее соотношение водорода и кислорода равно от 100:51 до 100:60. Причем шихта содержит диоксид титана в расчете на оксид алюминия в количестве равном: ТiО₂ = 0,4-1,0 мас.%. Выращивание монокристалла осуществляют при температуре 2030 - 2100^oC с перепадом температуры между фронтом кристаллизации и внутренней стенкой камеры кристаллизации, не превышающем 100^oC, а скорость роста кристалла задают из диапазона 0,7 - 2,0 мм/ч, с об- ратной зависимостью от концентрации диоксида титана. 2 з.п. ф-лы.

Вернуться к списку