|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ |  |
Номер публикации патента: 2105831 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B011/02 | | Аналоги изобретения: | US, патент, 5131975, кл. C 30 B 27/02, 1992. EP, заявка 0517251, кл. C 30 B 11/02, 1992. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский центр космической системотехники | | Изобретатели: | Озерных И.Л.
Битушан Е.И.
Драков А.А.
Саяпин С.Н.
Свириденко И.П. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский центр космической системотехники |
Реферат | |
Использование: в технологиях производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность: расплавляют исходный материал - регистрируют форму фронта кристаллизации, восстанавливают параметры термодинамического режима роста монокристалла по определенной зависимости, оптимизируют рост монокристалла. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента