|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И СЕГРЕГАЦИИ В СЛИТКАХ |  |
Номер публикации патента: 2095493 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B011/06 | | Аналоги изобретения: | Самойлович Ю.А. Кристаллизация слитка в электромагнитном поле. - М., 1986, с. 30. Лычев А.П. и др. Влияние магнитного поля на кристаллизацию. Известия ВУЗов, 1976, N 6, с. 55. Флемингс. Процессы затвердевания. - М.: Мир, 1977, с. 47. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения" | | Изобретатели: | Зверев Б.Ф.
Видов С.В.
Вишкарев А.Ф.
Косырев Л.К.
Рябихин Н.П.
Виноградов Ю.В.
Мостовой А.Б. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения" |
Реферат | |
Использование: при разработке и усовершенствовании технологии формирования слитка при воздействии слабого магнитного поля на кристаллизирующийся расплав. Способ заключается в том, что при воздействии постоянного магнитного поля со значениями индукции B=0,5-2·10-3 Тл на математическую модель, построенную на основе парамагнитных свойств кристаллических зародышей в двухфазовой области "структурной диффузии" перед фронтом кристаллизации, зародыш приобретает магнитный момент, влияющий на скорость движения и соответствующий указанным значениям индукции, а скорость движения зародышей, характеризуемая ее проекцией на вертикальную ось слитка и связанная с параметрами кристаллизации, увеличивается и определяется по соотношению:  где  - проекция средней скорости совместного движения "парамагнитных зародышей" в поле, имеющем градиент индукции; Vкz - скорость конвективного потока по оси, изменяющаяся под воздействием поля; Vzкол - "потеря" скорости на колебание вектора намагниченности в переменном поле, равная нулю в постоянном магнитном поле. Параметры кристаллизации и сегрегации: скорость роста зародышей (Vр), переохлаждение (&Dgr;T), толщина обогащенного слоя (δэф) определяются из соотношений   где K1, K2 - коэффициенты, зависящие от условий кристаллизации, Dж - коэффициент диффузии в жидкости, Vo@кр - скорость затвердевания без воздействия поля, Ko=Ст/Сж - равновесный коэффициент распределения, Ст/Сж - концентрации примеси в твердой и жидкой фазах, Vn, V - проекции средней скорости на ось зародышей соответственно, обогащенных примесью и растворителем. 8 табл., 14 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента