|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2085625 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B011/10 | | Аналоги изобретения: | 1. Прецизионные электропечи для выращивания кристаллов из расплава. Серия 12. Электротермическое оборудование. Обзорная информация. - М.: Информэлектро, 1991, с. 15. 2. Прецизионные электропечи для выращивания кристаллов из расплава. Серия 12. Электротермическое оборудование. Обзорная информация. - М.: Информэлектро, 1991, с. 19. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН | | Изобретатели: | Бабинцева Н.И.
Жаринский А.С.
Коган А.Я.
Семенов В.Б.
Сытие В.Н. | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме. Цель: повышение возможности автоматизации работы устройства и уменьшение расхода воды на его охлаждение. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов из расплава, содержащее кристаллизационную камеру, установленный в ней нагреватель, систему управления напряжением нагревателя, систему вакуумирования кристаллизационной камеры с блоком управления и систему водяного охлаждения, дополнительно снабжено блоками контроля температуры и расхода воды в системе охлаждения. Выходы блоков управления системой вакуумирования и контроля температуры воды и один из выходов блока контроля расхода воды соединены с соответствующими входами системы управления напряжением нагревателя, другой выход блока расхода воды подключен ко входу блока управления системой вакуумирования. Отличие состоит также в том, что система водяного охлаждения выполнена в виде независимо регулируемых контуров охлаждения кристаллизационной камеры, системы вакуумирования и системы управления напряжением нагревателя, и каждый контур снабжен блоками контроля температуры и расхода воды. Наилучший результат достигается тогда, когда контур водяного охлаждения системы управления напряжением нагревателя выполнен в виде по меньшей мере двух независимых магистралей. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента