На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЩЕЛОЧНО - ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 1610942

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4673289		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс. Выращивание ведут вертикальной направленной кристаллизацией путем пропускания цилиндрической ампулы с расплавом через охлаждаемую диафрагму со скоростью V. Сначала расплав перегревают на &Dgr;t₁= 30-50^°C выше t плавления и в течение времени t₁=(h_k + h_x)/V выращивают конусную часть кристалла, затем со скоростью U₁= 0,3(&Dgr;t₂-&Dgr;t₁)V(h_x-h_c) увеличивают перегрев до величины &Dgr;t₂= 50-100^°C и выращивают цилиндрическую часть кристалла заданной длины (H_ц) в течение времени t₂=H_ц/3V, а затем перегрев опять увеличивают со скоростью U₂= 0,2(&Dgr;t₃-&Dgr;t₂)V/(h_c-h_b) до величины &Dgr;t₃= 100-150^°C, после чего ампулу охлаждают, где h_k - высота конусной части ампулы, мм; h_x, h_c и h_b - расстояние от верха диафрагмы до положения изотермы, соответствующей t плавления при перегреве &Dgr;t₁,&Dgr;t₂ и &Dgr;t₃, соответственно. 2 ил., 1 табл.

Вернуться к списку