|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЭПИТАКСИИ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2312176 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/38 C30B025/18 C30B019/12 C30B009/06 | | Аналоги изобретения: | WO 9855671 A1, 10.12.1998. RU 2097452 C1, 27.11.1997. FR 2766657 A1, 26.01.2001. JP 10007496 A, 13.01.1998. GB 2326160 A, 16.12.1998. US 6177057 A, 32.01.2001. JP 9134878 A, 20.05.1997. DWILINSKI R. et al. Ammono method of GaN and AlN production. "Diamond and Related Materials", v.7, Issue 9, September 1998, p.1348-1350. DOUGLAS R. KETCHUM et al. |
| Имя заявителя: | АММОНО Сп. з о.о (PL),НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP) | | Изобретатели: | ДВИЛИНСКИ Роберт (PL)
ДОРАДЗИНСКИ Роман (PL)
ГАРШИНСКИ Ежи (PL)
СЕШПУТОВСКИ Лешек П. (PL)
КАНБАРА Ясуо (JP) | | Патентообладатели: | АММОНО Сп. з о.о (PL)
НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP) |
Реферат | |
Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента