На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОР - РАСПЛАВА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | |
Номер публикации патента: 2195520 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B009/12 C30B029/10 | Аналоги изобретения: | FWIGELSON R.S. et al. Solution growth of barium metaborate crystals by top seeding. J. of Crystal Jrowth. - 1989, v.97, №2, р.352-366. SU 422449, А, 05.04.1974. JP 1197395 А, 09.08.1989. JP 4026596 А, 29.01.1992. US 4931133 А, 05.06.1990. |
Имя заявителя: | Институт минералогии и петрографии СО РАН | Изобретатели: | Кононова Н.Г. Кох А.Е. | Патентообладатели: | Институт минералогии и петрографии СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе. Сущность изобретения: двустадийным твердофазным синтезом получают шихту путем нагрева смеси карбоната бария, карбоната натрия и борной кислоты при 180-200oС в течение 16-20 ч и при 680-700oС в течение 8 ч.
|