|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ |  |
Номер публикации патента: 2182194 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B009/12 C30B029/22 H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | АЛЕКСАНДРОВ О.В. и др. Монокристаллы высокотемпературной фазы Вi<SB POS="POST">2</SB>Sr<SB POS="POST">2</SB>Са<SB POS="POST">2</SB>Сu<SB POS="POST">3</SB>О<SB POS="POST">10</SB>±δ. СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ: физика, химия, техника, т. 5, № 12, 1992, с.2333-2337. RU 1723847 Al, 28.02.1994. RU 2090665 C1, 20.09.1997. JP 07232997 А, 05.09.1995. |
| Имя заявителя: | Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН | | Изобретатели: | Горина Ю.И.
Калюжная Г.А.
Сентюрина Н.Н. | | Патентообладатели: | Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники. Сущность изобретения: смешивают предварительно синтезированную сверхпроводниковую шихту заданного фазового состава и газообразующую добавку, необходимую для формирования парогазовой каверны в растворе-расплаве. Затем смесь материала заданного фазового состава в количестве не менее 20 вес.%, газообразующей добавки в количестве не менее 20 вес.% и флюса загружают в ростовой тигель, нагревают до 800-875oС, выдерживают в течение нескольких часов, осуществляют выращивание монокристаллов в каверне при вертикальном градиенте в растворе-расплаве 1-3oС/см и температуре 795-860oС, после чего проводят охлаждение в 2 этапа. Получены чистые, обладающие сверхпроводимостью после выращивания, нелегированные зеркально-гладкие монокристаллы с линейными размерами до 5 мм, свободно выросшие в парогазовых кавернах раствора-расплава. 2 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента