|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БОРАТА ГАЛЛИЯ GaBO |  |
Номер публикации патента: 2019584 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B009/12 C30B029/22 | | Аналоги изобретения: | Руденко В.В. Магнитная анизотропия ромбоэдрических антиферромагнитных кристаллов со слабым ферромагнетизмом. Кандидатская диссертация. Симферополь, 1983 г., с.113-117. |
| Имя заявителя: | Институт физики им.Л.В.Киренского СО РАН | | Изобретатели: | Петраковский Г.А.
Руденко В.В.
Степанов Г.Н. | | Патентообладатели: | Институт физики им.Л.В.Киренского СО РАН |
Реферат | |
Использование: управляемая раствор-расплавная кристаллизация при получении GaBO3 для физического эксперимента и оптоэлектроники. Сущность изобретения: раствор-расплав, содержащий Ga2O3, B2O3, PbO - PbF2 , перегревают до 950-1000°С с перемешиванием, охлаждают до 815 - 845°С выдерживают 22 - 24 ч с перемешиванием, затем температуру поднимают до 820 - 850°С с последующим понижением по закону (10-7-10-8)t3 до 810 - 840°С, где t - время в часах.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента