|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА |  |
Номер публикации патента: 2186885 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/18 | | Аналоги изобретения: | RU 2057210, С1, 27.03.1996. US 5714005 А, 03.02.1998. JP 1-197394 А, 09.08.1989. JP 200327492 A, 28.11.2000. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" | | Изобретатели: | Гордиенко Л.А.
Дороговин Б.А.
Орлов О.М.
Полянский Е.В.
Цинобер Л.И.
Шванский П.П. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике. Сущность изобретения: в способе выращивания кристаллов синтетического кварца гидротермальным методом, включающем перекристаллизацию кварцевой шихты на стержневые затравки при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, используют
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента