US 2006051942 A1, 09.03.2006. US 2010059717 A1, 11.03.2010. US 2010078606 A1, 01.04.2010.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Инновационное научно-производственное предприятие "Кристалл" (RU)
Изобретатели:
Гилёв Олег Аркадьевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Инновационное научно-производственное предприятие "Кристалл" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. Способ включает нагрев и выдержку при заданной температуре либо нагрев и медленное охлаждение от заданной температуры в контейнере при поддержании градиента температуры между верхней и нижней частями контейнера под давлением азотсодержащего газа шихты, содержащей источник галлия и компоненты флюса. Флюс в качестве основных компонентов содержит цианиды, или цианамиды, или дицианамиды щелочных и/или щелочноземельных металлов и модифицирующие добавки, повышающие растворимость нитрида галлия и/или увеличивающие скорость роста и/или позволяющие управлять физическими свойствами получаемых кристаллов. За счет состава флюса, химического инертного по отношению к материалу контейнера, снижается скорость коррозии последнего, при этом также повышается качество получаемых монокристаллов. 15 з.п. ф-лы, 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента