RU 2330126 C2, 10.06.2007. US 5047113 A, 10.09.1991. MARCHENKO M.P. et al, Investigation of Cd1-xZnxTe composition inhomogeneity at crystal growth by AHP-method, "Journal of Crystal Growth", 2007, vol.303, no.1, p.p.193-198.
Имя заявителя:
Голышев Владимир Дмитриевич (RU), Быкова Светлана Викторовна (RU), Цветовский Владимир Борисович (RU)
Изобретатели:
Голышев Владимир Дмитриевич (RU) Быкова Светлана Викторовна (RU) Цветовский Владимир Борисович (RU)
Патентообладатели:
Голышев Владимир Дмитриевич (RU) Быкова Светлана Викторовна (RU) Цветовский Владимир Борисович (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов Cd1-xZnxTe (CZT), где 0x1 из расплава. Кристаллы Cd1-xZnxTe выращивают под высоким давлением инертного газа, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ, с использованием фонового нагревателя и погруженного в расплав нагревателя - ОТФ-нагревателя, путем вытягивания тигля с расплавом в холодную зону со скоростью v, при разных начальных составах шихты в зоне кристаллизации W1 с толщиной слоя расплава h, и в зоне подпитки W2, при этом в зоне W1 (14) размещают исходные компоненты Cd, Zn, Те или предварительно синтезированные соединения CdTe и ZnTe в таком соотношении, чтобы перед началом ОТФ-кристаллизации состав расплава соответствовал требуемому составу на кривой ликвидуса, а в зоне W2 (15) - исходные компоненты Cd, Zn, Те или предварительно синтезированные соединения CdTe и ZnTe в таком соотношении, чтобы состав расплава соответствовал требуемому составу на кривой солидуса, управление переносом массы в зоне кристаллизации W1 осуществляют за счет выбора оптимального соотношения между осевым градиентом температуры в расплаве gradTax, высотой слоя расплава h и радиальным распределением температуры вдоль ОТФ-нагревателя, определяемых по двумерной численной модели в зависимости от диаметра кристалла и требуемого качества, используя для управления распределением температур в рабочем объеме многосекционный ОТФ-нагреватель (5) или погруженную перегородку (20) и многосекционный фоновый нагреватель (4), при этом управление ведут по показаниям термодатчиков (8, 9, 10, 11), для управления формой фронта кристаллизации используют также дополнительный кольцевой нагреватель (12), установленный вблизи стенки тигля напротив ОТФ-нагревателя с термодатчиком (13), а кристаллизацию ведут в зависимости от требуемого качества кристалла и диаметра тигля при следующих параметрах: h=0,5-40 мм, осевой градиент температуры вблизи фронта кристаллизации gradTax=3-120°C/cM, скорость вытягивания тигля с растущим кристаллом v=0,1-10 мм/час, перепад температур вдоль ОТФ-нагревателя T2-T1=0-6°C, перепад температур между боковой поверхностью тигля и периферией ОТФ-нагревателя Т6-T2=0,5-20°C. Выращенные кристаллы CZT большого диаметра (до 150 мм) характеризуются высокой степенью макро- и микрооднородности, на 90-92% длины кристалла отклонения от заданного состава в объеме составляли 0,5 at%. Средняя плотность ямок травления составила 5×10 см-2 до отжига кристалла. 21 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента