US 4402786 А, 06.09.1983. SU 1758913 A1, 30.08.1992. NOVAK R.E. et al. The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrate. Journal of Crystal Growth. 1980, vol.50, no.1, p.143-150. DD 202901 A1, 05.10.1983. WADA KAZUMI et al. Growth and characterization of sapphire ribbon crystals. Journal of Crystal Growth. 1980, vol.50,no.1, p.151-159. LaBELLE H.E. EFG, the invention and application to sapphire growth. Journal of Crystal Growth. 1980, vol.50, no.1, p.8-17. GB 2044630 A, 22.10.1980. JP 2003112998 A, 18.04.2003.
Изобретение имеет отношение к созданию монокристаллических компонентов из сапфира, широко используемых в оптических применениях, в том числе военных и промышленных. Раскрыты монокристаллические листы сапфира, имеющие желательные геометрические параметры, в том числе с длиной больше ширины, которая больше толщины, при этом ширина составляет не меньше чем 28 см, а изменение по толщине не превышает 0,2 см. Монокристаллы могут иметь и другие геометрические параметры, такие как максимальное изменение толщины, причем кристаллы после выращивания могут иметь главным образом симметричный участок шейки, связанный с переходом от шейки в основное тело кристалла. Способ изготовления монокристалла сапфира включает создание расплава в тигле, имеющем кристаллизатор, при этом горизонтальное поперечное сечение тигля отличается от кругового, и он имеет коэффициент формы, составляющий, по меньшей мере, 2:1, при этом коэффициент формы определен как отношение длины тигля к ширине тигля, динамическую регулировку температурного градиента вдоль кристаллизатора и вытягивание монокристалла из кристаллизатора. Изобретение позволяет создавать листы сапфира больших размеров и массы с однородной толщиной при умеренных производственных затратах. 3 н. и 50 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента