|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ Cd |  |
Номер публикации патента: 2330126 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/48 C30B013/18 | | Аналоги изобретения: | EBINA ATSUKO et al. Crystal growth of Zn |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Термо А" (RU) | | Изобретатели: | Быкова Светлана Викторовна (RU)
Голышев Владимир Дмитриевич (RU)
Гоник Михаил Александрович (RU)
Цветовский Владимир Борисович (RU) | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Термо А" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0x1 из расплава под высоким давлением инертного газа. Способ осуществляют путем вытягивания тигля с расплавом в холодную зону со скоростью v, при этом сначала осуществляют перегрев расплава и его выдержку, после чего осуществляют рост кристаллов в тигле (1) с термодатчиками (8, 9), расположенными на дне и боковой стенке тигля, в условиях осевого теплового потока с градиентом температуры gradTax вблизи фронта кристаллиза
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента