|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОТЖИГ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ, ПОЛУЧЕННЫХ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ |  |
Номер публикации патента: 2324764 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C016/27 C30B023/08 | | Аналоги изобретения: | US 5451430 A, 19.09.1995. RU 2099283 C1, 20.12.1997. RU 2006538 C1, 30.01.1994. RU 2202513 C1, 20.04.2003. GB 2295401 A, 29.05.1996. |
| Имя заявителя: | КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US) | | Изобретатели: | ХЕМЛИ Расселл Дж. (US)
МАО Хо-Кванг (US)
ЯНЬ Чжи-Шию (US) | | Патентообладатели: | КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза. Способ включает увеличение температуры CVD-алмаза до температуры отжига, составляющей по меньшей мере 1500°С при давлении по меньшей мере 4,0 ГПа в пределах стабильной фазы графита или только в пределах стабильной фазы алмаза.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента