

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ Ga

Номер публикации патента: 2313623

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2005126721/15

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B029/16 C30B023/02 H01L033/00 H01S005/32
Аналоги изобретения:	VILLORA E.G. et al. Cathodoluminescence of undoped

Имя заявителя:	ВАСЕДА ЮНИВЕРСИТИ (JP)
Изобретатели:	ИТИНОСЕ Нобору (JP) СИМАМУРА Киеси (JP) АОКИ Казуо (JP) ГАРСИЯ ВИЛЛОРА Энкарнасьон Антониа (JP)
Патентообладатели:	ВАСЕДА ЮНИВЕРСИТИ (JP)

Реферат

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку -Ga2O3 формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла -Ga2O3. Лазерный луч направляют на мишень для возбуждения атомов, составляющих мишень.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"